|
|
|
حافظه flash
حافظه ها ي الكترونيكي با اهداف متفاوت و به اشكال گوناگون
تاكنون طراحي و عرضه شده اند. حافظه فلش ، يك نمونه از حافظه هاي الكترونيكي
بوده
كه براي ذخيره سازي آسان و سريع اطلاعات در دستگاههائي نظير : دوربين هاي
ديجيتال ،
كنسول بازيهاي كامپيوتري و ... استفاده مي گردد. حافظه فلش اغلب مشابه يك هارد
استفاده مي گردد تا حافظه اصلي .
در تجهيزات زير از حافظه فلش استفاده مي
گردد :
·
تراشهBIOS
موجود در كامپيوتر
· CompactFlash
كه در دوربين
هاي ديجيتال استفاده مي گردد .
· SmartMedia
كه اغلب در دوربين هاي ديجيتال
استفاده مي گردد
· Memory Stick
كه اغلب در دوربين هاي ديجيتال استفاده مي
گردد .
·
كارت هاي حافظه
PCMCIA
نوع
I
و
II
·
كارت هاي حافظه براي
كنسول هاي بازيهاي ويدئويي
مباني حافظه فلش
حافظه فلاش يك نوع خاص از تراشه هاي
EEPROM
است . حافظه فوق شامل
شبكه اي مشتمل بر سطر و ستون است . در محل تقاطع هر سطر و يا ستون از دو
ترانزيستور
استفاده مي گردد. دو ترانزيستور فوق توسط يك لايه نازك اكسيد از يكديگر جدا شده
اند. يكي از ترانزيستورها
Floating gate
و ديگري
Control gate
خواهد بود.
Floatino gate
صرفا" به سطر
(WordLine)
متصل است . تا زمانيكه لينك فوق وجود داشته باشد در
سلول مربوطه مقدار يك ذخيره خواهد بود. بمنظور تغيير مقدار يك به صفر از
فرآيندي با
نام
Fowler-Nordheim tunneling
استفاده مي گردد. از
Tunneling
بمنظور تغيير محل
الكترون ها در
Floating gate
استفاد مي شود. يك شارژ الكتريكي حدود 10 تا 13 ولت به
floating gate
داده مي شود. شارژ از ستون شروع
( bitline)
و سپس به
floating gate
خواهد رسيد .در نهايت شارژ فوق تخليه مي گردد( زمين ) .شارژ فوق باعث مي گردد
كه
ترانزيستور
floating gate
مشابه يك "پخش كننده الكترون " رفتار نمايد . الكترون هاي
مازاد فشرده شده و در سمت ديگر لايه اكسيد به دام افتاد و يك شارژ منفي را باعث
مي
گردند. الكترون هاي شارژ شده منفي ، بعنوان يك صفحه عايق بين
control gate
و
floating gate
رفتار مي نمايند.دستگاه خاصي با نام
Cell sensor
سطح شارژ پاس داده
شده به
floating gate
را مونيتور خواهد كرد. در صورتيكه جريان گيت بيشتر از 50 درصد
شارژ باشد ، در اينصورت مقدار يك را دارا خواهد بود.زمانيكه شارژ پاس داده شده
از
50
درصد آستانه عدول نموده مقدار به صفر تغيير پيدا خواهد كرد.يك تراشه
EEPROM
داراي گيت هائي است كه تمام آنها باز بوده و هر سلول آن مقدار يك را دارا است.
در اين نوع حافظه ها ( فلش) ، بمنظور حذف از مدارات پيش بيني شده در زمان
طراحي ( بكمك ايجاد يك ميدان الكتريكي) استفاده مي گردد. در اين حالت مي توان
تمام
و يا بخش هاي خاصي از تراشه را كه " بلاك " ناميده مي شوند، را حذف كرد.اين نوع
حافظه نسبت به حافظه هاي
EEPROM
سريعتر است ، چون داده ها از طريق بلاك هائي كه
معمولا" 512 بايت مي باشند ( به جاي يك بايت در هر لحظه ) نوشته مي گردند.
كارت هاي حافظه فلش
تراشه
BIOS
در
كامپيوتر، متداولترين نوع حافظه فلش است . كارت هاي
SmartMedia
و
ComapctFlash
نيز
نمونه هاي ديگري از حافظه هاي فلش بوده كه اخيرا" متداول شده اند. از كارت هاي
فوق
بعنوان "فيلم هاي الكترونيكي" در دوربين هاي ديجيتال، استفاده مي گردد .كارتهاي
حافظه براي بازيهاي كامپيوتري نظير
Sega
و
PlayStation
نمونه هاي ديگري از حافظه
هاي فلش مي باشند. استفاده از حافظه فلش نسبت به هارد داراي مزاياي زير است :
·
حافظه هاي فلش نويز پذير نمي باشند.
·
سرعت دستيابي به حافظه هاي
فلش بالا است .
·
حافظه هاي فلش داراي اندازه كوچك هستند.
·
حافظه
فلش داراي عناصر قابل حركت ( نظير هارد ) نمي باشند.
قيمت حافظه هاي فلش
نسبت به هارد بيشتر است .
|
|
|
